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Micron quiere capturar una porción mayor del mercado HBM de 100 mil millones de dólares con soluciones de memoria vinculada HBM4 y HBM4E para 2026

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El gigante estadounidense de los semiconductores revela el lanzamiento del HBM4 en 2026, seguido del HBM4E
Probablemente será utilizado por la GPU Rubin R100 de Nvidia y el sucesor de AMD del Instinct MI400x.
Micron llega tarde a un mercado muy concurrido liderado por SK Hynix

Micron ha revelado más pasos en su plan para capturar una parte significativa del mercado de memorias de gran ancho de banda en rápida expansión.

El gigante estadounidense de semiconductores reveló durante su convocatoria de resultados del primer trimestre de 2025 que planea presentar productos de memoria HBM4 en 2026, seguidos de HBM4E en 2027/2028 con piezas de 64 GB y 2 TB/s diseñadas para aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y centros de datos.

Sanjay Mehrotra, presidente y director ejecutivo de Micron, destacó la creciente importancia de HBM en los planes de la compañía y afirmó: “El mercado de HBM mostrará un fuerte crecimiento en los próximos años. En 2028, esperamos que el mercado total direccionable de HBM (TAM) aumente crecerá cuatro veces desde el nivel de 16 mil millones de dólares en 2024 y superará los 100 mil millones de dólares en 2030. Nuestra previsión para TAM para HBM en 2030 será mayor “Según nuestra previsión, el tamaño de toda la industria de DRAM, incluida HBM, en el año 2024”.

Hoja de ruta de la memoria Micron — (Crédito de la imagen: Micron)

Llegando a la GPU insignia

Al expresar su entusiasmo por la próxima generación de HBM, Mehrotra añadió: “Al aprovechar una base sólida y continuas inversiones en tecnología de proceso 1β probada, esperamos que el HBM4 de Micron mantenga el tiempo de comercialización y el liderazgo en eficiencia energética, al tiempo que mejora el rendimiento en más de un 50 % en comparación”. a HBM3E.”

La versión HBM4E, que se espera que llegue a finales de 2027, incluirá un núcleo lógico personalizable que utiliza la tecnología de fabricación avanzada de TSMC. Esta característica de diseño permitirá a algunos clientes modificar la capa lógica para adaptarla mejor a sus necesidades, con el objetivo de mejorar el rendimiento y la eficiencia.

Se espera que las próximas soluciones de memoria se utilicen en las principales GPU, como NVIDIARobin R100 y AMDEl sucesor del Instinct MI400x. Micron ya ha demostrado tracción en el mercado con su tecnología HBM3E. “Estamos orgullosos de compartir que el HBM3E 8H de Micron está integrado en las plataformas Blackwell B200 y GB200 de Nvidia”, dijo Mehrotra durante la llamada.

Si bien Micron es relativamente nuevo en el espacio de HBM, que actualmente está dominado por el gigante surcoreano de la memoria SK Hynix, su vecino y principal competidor. SamsungSin embargo, la empresa sigue siendo optimista sobre su posición competitiva.

“Basándonos en nuestro éxito en el diseño para el cliente y nuestro éxito en forjar alianzas profundas con clientes, facilitadores de la industria y socios tecnológicos clave como TSMC, esperamos ser un proveedor líder de HBM, con la hoja de ruta tecnológica más sólida y confiable y un historial de ejecución líder en la industria. ”, dijo Mehrotra.

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Tesla emerge como un rival sorpresa para AMD y Nvidia en su búsqueda de memoria HBM4 de próxima generación para inteligencia artificial y supercomputadoras.

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Los chips HBM4 están preparados para respaldar las ambiciones avanzadas de IA de Tesla
Supercomputadora Dojo para integrar los chips HBM4 de alto rendimiento de Tesla
Samsung y SK Hynix compiten por pedidos de chips de memoria AI de Tesla

A medida que el mercado de memorias de gran ancho de banda (HBM) sigue creciendo y se espera que alcance los 33.000 millones de dólares en 2027, la competencia entre Samsung y la intensificación de SK Hynix.

Tesla está avivando las llamas ya que, según se informa, se ha puesto en contacto con Samsung y SK Hynix, dos de los mayores fabricantes de chips de memoria de Corea del Sur, para obtener muestras de sus chips HBM4 de próxima generación.

Y ahora informe desde Diario económico coreano Afirma que Tesla planea evaluar estas muestras para una posible integración en su supercomputadora Dojo personalizada, un sistema crítico diseñado para impulsar a la empresa. Amnistía Internacional Sus ambiciones, incluida la tecnología de vehículos autónomos.

Los ambiciosos planes de Tesla para la IA y HBM4

La supercomputadora Dojo, impulsada por el chip D1 AI de Tesla, ayuda a entrenar las redes neuronales necesarias para la conducción autónoma total (FSD). Este último pedido indica que Tesla se está preparando para reemplazar los chips HBM2e más antiguos con chips HBM4 más avanzados, que ofrecen mejoras significativas en velocidad, eficiencia energética y rendimiento general. También se espera que la compañía integre chips HBM4 en futuros centros de datos de inteligencia artificial y vehículos autónomos.

Samsung y SK Hynix, rivales desde hace mucho tiempo en el mercado de chips de memoria, están creando prototipos de chips HBM4 para Tesla. Estas empresas también están desarrollando agresivamente soluciones HBM4 personalizadas para las principales empresas tecnológicas de EE. UU., como microsoftMeta y Google.

Según fuentes de la industria, SK Hynix sigue siendo el líder actual en el mercado de memorias de alto ancho de banda (HBM), suministrando conjuntos de chips HBM3e a… NVIDIA Y mantener una gran cuota de mercado. Sin embargo, Samsung está cerrando rápidamente la brecha, formando asociaciones con empresas como Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC) para producir componentes clave de sus chips HBM4.

SK Hynix parece haber avanzado con su chip HBM4. La empresa afirma que su solución proporciona 1,4 veces el ancho de banda del HBM3e y consume un 30% menos de energía. Con un ancho de banda que se espera que supere los 1,65 terabytes por segundo (TB/s) y un bajo consumo de energía, los chips HBM4 proporcionan el rendimiento y la eficiencia necesarios para entrenar grandes modelos de IA utilizando la supercomputadora Dojo de Tesla.

También se espera que los nuevos chips HBM4 tengan un chip lógico en la base del chipset, que actúa como un controlador de chip de memoria. Este diseño de matriz lógica permite un procesamiento de datos más rápido y una mejor eficiencia energética, lo que hace que el HBM4 sea muy adecuado para las aplicaciones impulsadas por IA de Tesla.

Se espera que las dos compañías aceleren sus cronogramas de desarrollo de HBM4, y SK Hynix apunta a entregar chips a los clientes a fines de 2025. Samsung, por otro lado, está impulsando sus planes de producción con su avanzado proceso de fundición de 4 nm, que podría ayudarlo. Asegurar una ventaja competitiva en el mercado global de HBM.

a través de fuerza de tendencia

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Micron lanza HBM3E de 36 GB para ponerse al día con Samsung y SK Hynix mientras los competidores se apresuran frenéticamente hacia la próxima gran novedad: HBM4 con sus 16 capas, ancho de banda de 1,65 Tbps y SKU de 48 GB.

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Micron ha lanzado oficialmente su memoria de alto rendimiento HBM3E 12 de 36 GB, lo que marca la entrada de la compañía en el panorama competitivo de las soluciones de memoria de alto rendimiento para… Amnistía Internacional y sistemas basados en datos.

A medida que las cargas de trabajo de IA se vuelven más complejas y consumen más datos, la necesidad de soluciones de memoria energéticamente eficientes se vuelve crítica. El HBM3E de Micron tiene como objetivo lograr este equilibrio, proporcionando velocidades de procesamiento más rápidas sin los altos requisitos de energía asociados típicamente con sistemas tan potentes.

La memoria de alta capacidad HBM3E de 36 GB y 12″ de Micron se destaca por su mayor capacidad, ya que ofrece un aumento del 50 % en capacidad con respecto a las ofertas HBM3E actuales. Esto lo convierte en un componente fundamental para los aceleradores de IA y los centros de datos que ejecutan grandes cargas de trabajo.

36 GB HBM3E 12- Alta memoria para acelerar la inteligencia artificial

Micron afirma que sus ofertas proporcionan más de 1,2 terabytes por segundo (TB/s) de ancho de banda de memoria, con una velocidad de pin superior a 9,2 gigabits por segundo (Gb/s), lo que garantiza un rápido acceso a datos para aplicaciones de IA. Si bien la nueva memoria de Micron aborda la creciente demanda de modelos de IA más grandes y un procesamiento de datos más eficiente, también reduce el consumo de energía en un 30 % en comparación con sus competidores.

Aunque la memoria Micron HBM3E 12 de alta calidad ofrece mejoras notables en términos de capacidad y eficiencia energética, ingresa a un campo donde… Samsung SK Hynix ya ha demostrado su dominio. Estos dos competidores están persiguiendo agresivamente el próximo gran avance en memorias de gran ancho de banda: HBM4.

12 micras de altura

(Crédito de la imagen: Micron)

Se espera que el HBM4 cuente con 16 capas de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), que proporcione más de 1,65 terabytes por segundo de ancho de banda, superando con creces las capacidades del HBM3E. Además, con configuraciones de hasta 48 GB por paquete, HBM4 proporcionará una mayor capacidad de memoria, lo que permitirá a los sistemas de IA manejar cargas de trabajo cada vez más complejas.

A pesar de la presión de sus competidores, Micron HBM3E High 12 Memory sigue siendo un actor importante en el ecosistema de IA.

La compañía ya ha comenzado a enviar unidades con capacidad de producción a socios clave de la industria para su calificación, lo que les permitirá integrar la memoria en sus aceleradores de IA y su infraestructura de centro de datos. La sólida red de soporte y las asociaciones de ecosistemas de Micron garantizan que sus soluciones de memoria se integren perfectamente en los sistemas existentes, lo que resulta en un mejor rendimiento en las cargas de trabajo de IA.

Una colaboración notable es la asociación de Micron con 3DFabric Alliance de TSMC, que ayuda a mejorar la fabricación de sistemas de IA. Esta alianza respalda el desarrollo de la memoria HBM3E de Micron y garantiza que pueda integrarse en diseños de semiconductores avanzados, mejorando las capacidades de los aceleradores y supercomputadoras de IA.

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El archirrival de Samsung revela más detalles sobre la tecnología clave de memoria AI que podría terminar en el supuesto H300 de Nvidia: el HBM4 tendrá la misma densidad de matriz pero 16 capas, un enorme ancho de banda de 1,65 TB/s y estará disponible en una versión modular de 48 GB.

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El gigante surcoreano de la memoria SK Hynix ha hecho una serie de anuncios importantes en los últimos meses, incluidos sus planes para construir… La fábrica de chips más grande del mundo. Y crear un chip de almacenamiento móvil que pueda Haga que los teléfonos y portátiles funcionen más rápido.

La empresa también empezó En cooperación con Taiwan Semiconductor Foundry, TSMCpara desarrollar y producir la próxima generación de memoria de gran ancho de banda, conocida como HBM4, que mejorará significativamente el rendimiento de la informática de alto rendimiento y la inteligencia artificial, y que eventualmente podría ser NVIDIALa supuesta GPU H300.

En el reciente IEEE 16th International Memory Workshop (IMW 2024) de 2024 en Seúl, Corea del Sur, SK Hynix reveló más detalles sobre sus planes para HBM4, que se espera que esté ampliamente disponible en 2026 (más sobre eso estará disponible en breve). Naturalmente, la empresa, como mayor fabricante de HBM, tenía mucho que decir al respecto.

Acelerar el desarrollo de HBM

La hoja de ruta de desarrollo de la compañía muestra que HBM4 tendrá la misma densidad de matriz que HBM3E (24 GB), pero con 16 capas en lugar de 12. También ofrecerá un ancho de banda de 1,65 TB/s, en comparación con los 1,18 TB/s de HBM3E. La capacidad será de 48 GB, en comparación con los 36 GB, con un total de IO/cubo de 2048 pines, el doble que su predecesor. SK Hynix afirma que el consumo de energía del chip se reducirá aproximadamente a la mitad.

de acuerdo a mirar computadora“El discurso de apertura también se refirió al módulo HBM4E de próxima generación, cuya comercialización está prevista para 2028. El ancho de banda máximo de E/S probablemente superará los 2 TB/s. Se desconocen detalles como la capacidad de almacenamiento y el módulo DRAM (DRAM).

Lo realmente interesante es que mirar computadora También señala que al final de la keynote había una diapositiva que indicaba que el calendario de producción de la empresa se acelerará, y que la comercialización del módulo “HBM4” se adelantará a 2025 y del módulo “HBM4E” a 2026. ”

Si es así, es probable que SK Hynix esté respondiendo a una amenaza de su archirrival. Samsungque se está desarrollando Su módulo HBM4 Que se espera que debute el próximo año.

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Samsung confirms next generation HBM4 memory is in fact Snowbolt — and reveals it plans to flood the market with precious AI memory amidst growing competition with SK Hynix and Micron

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Samsung has revealed it expects to triple its HBM chip production this year.

“Following the third-generation HBM2E and fourth-generation HBM3, which are already in mass production, we plan to produce the 12-layer fifth-generation HBM and 32 gigabit-based 128 GB DDR5 products in large quantities in the first half of the year,” SangJoon Hwang, EVP and Head of DRAM Product and Technology Team at Samsung said during a speech at Memcon 2024.

“With these products, we expect to enhance our presence in high-performance, high-capacity memory in the AI era.”

Snowbolt

Samsung plans a 2.9-fold increase in HBM chip production volume this year, up from the 2.5-fold projection previously announced at CES 2024. The company also shared a roadmap detailing its future HBM production, projecting a 13.8-fold surge in HBM shipments by 2026 compared to 2023.

Samsung used Memcon 2024 to showcase its HBM3E 12H chip – the industry’s first 12-stack HBM3E DRAM – which is currently being sampled with customers. This will follow Micron’s 24GB 8H HBM3E into mass production in the coming months.

According to The Korea Economic Daily, Samsung also spoke of its plans for HBM4 and its sixth-generation HBM chip which the company has named “Snowbolt,”. Samsung says it intends to apply the buffer die, a control device, to the bottom layer of stacked memory for enhanced efficiency. It didn’t provide any information on when that future generation of HBM will see the light of day, however.

Despite being the world’s largest memory chipmaker, Samsung has lagged behind archrival SK Hynix in the HBM chip segment, forcing it to invest heavily to boost production of what is a crucial component in the escalating AI race due to its superior processing speed.

SK Hynix isn’t going to make things easy for Samsung however. The world’s second largest memory chip maker recently announced plans to build the largest chip production facility ever seen at Yongin Semiconductor Cluster in Gyeonggi Province, South Korea.