- Samsung lanza chip NAND de 400 capas para centros de datos de IA
- La nueva tecnología BV NAND aumenta la densidad y reduce la acumulación de calor
- Planes para NAND de 1000 capas para 2030 para ampliar la capacidad
Samsung Samsung está trabajando para lanzar un chip flash NAND vertical estándar de 400 capas para 2026, según afirman los informes.
Informe por Diario económico de Corea La división Device Solutions (DS) de Samsung dice que su objetivo es avanzar en el mercado flash NAND con su vanguardista V10 NAND, diseñado para satisfacer la creciente demanda en los centros de datos de IA.
La hoja de ruta de memoria de la compañía, como se describe en el informe, muestra planes para NAND avanzado de décima generación que utilizará tecnología de interconexión para construir celdas de memoria y circuitos periféricos por separado en diferentes chips, y luego combinarlos en un solo chip. Conocido como NANDFlash vertical (BV NAND), este nuevo enfoque minimiza la acumulación de calor y maximiza la capacidad y el rendimiento, creando lo que Samsung describe como “el NAND soñado para la IA”.
1000 capas para 2030
El diseño BV NAND, que presenta un aumento de 1,6 veces en la densidad de bits por unidad de área, admite unidades de estado sólido (SSD) de capacidad ultra alta, ideales para aplicaciones de IA.
Los actuales chips V9 NAND de 286 capas de Samsung representan un hito, pero se espera que el V10 de 400 capas redefina los límites de capacidad, superando potencialmente el umbral de almacenamiento de 200 TB para SSD AI ultragrandes al tiempo que mejora la eficiencia energética.
Para lanzamientos futuros, el fabricante de chips de memoria más grande del mundo planea presentar la NAND V11 de 11.ª generación en 2027 con una velocidad de transferencia de datos un 50 % más rápida, mejorando aún más el rendimiento para satisfacer las necesidades de almacenamiento de datos de alta demanda.
La ambiciosa hoja de ruta NAND de Samsung se extiende aún más, con planes para chips que superen las 1.000 capas para 2030. ked Informes. Este avance tiene como objetivo mantener a Samsung a la vanguardia del mercado NAND de alta capacidad, donde la demanda está siendo estimulada por aplicaciones de inteligencia artificial que requieren soluciones de almacenamiento expansivas para procesar cantidades masivas de datos.
En el segmento de DRAM, Samsung apunta a lanzar DRAM 1c de sexta generación y DRAM 1d de séptima generación para fines de 2024, apuntando a su uso en chips de IA de alto rendimiento. De acuerdo a Diario económico de Corea Según el informe, la compañía también tiene planes para DRAM de menos de 10 nm para 2027, utilizando una estructura de transistor de canal vertical para una mayor estabilidad y eficiencia.