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Los investigadores están experimentando con diferentes formas de memoria que podrían ser más adecuadas para la inteligencia artificial, la última de las cuales es el óxido de indio, galio y zinc (IGZO), que está atrayendo la atención.
La tecnología de 1 transistor y condensador (2T1C) basada en IGZO se encuentra normalmente en pantallas, pero la organización de investigación imec ha identificado su potencial en el campo de la computación analógica en memoria (AIMC).
El enfoque AIMC aborda las limitaciones de la informática digital tradicional, especialmente la velocidad y la eficiencia energética, mediante la implementación de tareas informáticas dentro de la propia memoria utilizando tecnología analógica. Esto reduce el consumo de energía y acelera la velocidad computacional.
Matriz de memoria más densa
La principal ventaja es el procesamiento paralelo y el almacenamiento de datos en un formato analógico dentro de la memoria, lo que proporciona un método de cálculo más rápido, más eficiente y energéticamente eficiente. En esencia, la memoria misma se convierte en parte del proceso de cálculo, eliminando la necesidad de mover datos entre módulos separados.
Las celdas IGZO DRAM son muy prometedoras para la computación analógica en memoria debido a su consumo de energía en espera dramáticamente bajo. Además, los transistores IGZO se pueden direccionar en el extremo posterior de la línea (BEOL) del chip, lo que permite colocarlos encima del circuito periférico del extremo frontal de la línea (FEOL) existente. Esto da como resultado una matriz de memoria más densa sin rastros de FEOL.
En el reciente Taller Internacional de Memoria (IMW) 2023, los equipos de imec abordaron algunos desafíos pendientes, estrategias para optimizar el tiempo de retención de las celdas de ganancia y demostraciones del funcionamiento exitoso de MAC en la configuración de matriz.
Tampoco fue la única empresa que habló sobre la tecnología. Samsung Allí también compartió su investigación.
Puedes leer más sobre el tema en sitio web del IMC, pero los investigadores concluyeron que las células 2T1C y 2T0C basadas en IGZO (variante sin condensador) exhiben propiedades AIMC excepcionales. En comparación con la tecnología tradicional basada en SRAM, proporciona una eficiencia energética e intensidad computacional superiores para aplicaciones de aprendizaje automático, especialmente durante la fase de inferencia. Las células 2T0C destacan aún más en eficiencia de área.
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